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IXTH30N60L2 IXTQ30N60L2
IXTT30N60L2
40
Fig. 7. Input Admittance
28
Fig. 8. Transconductance
26
T J = - 40oC
35
30
24
22
20
25oC
125oC
25
20
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
90
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
V DS = 300V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
80
70
60
14
12
10
I D = 15A
I G = 10mA
50
8
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
40
80
120 160 200 240 280 320 360 400 440 480
100,000
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1.000
0.100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
1,000
100
Coss
Crss
0.010
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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